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我国集成电路产业建设最早可追溯到1956年，当年国务院组织全国科学家制定了《1956年至1967年科学技术发展远景规划纲要》，半导体技术在《纲要》中被列为国家重要科学技术项目。总体来看，我国集成电路产业的发展大致可以分为五个时期：自力更生的初创期（1956—1978）、改革开放后的探索发展期（1979—1989）、重点建设时期（1990—1999）、黄金发展期（2000—2010）、跨越发展时期（2011年至今）。
我国半导体和集成电路的研究起步较早。1956年国务院组织制定了我国十二年科技发展规划，并提出了“向科学进军”的口号。其中，发展半导体被作为发展最新技术的一项特别提案列入了发展规划。1957年，北京大学、南开大学、复旦大学、吉林大学和厦门大学等五所高校联合在北京大学举办我国首届半导体专业培训班，为我国培养了第一批土生土长的半导体人才。1958年，国家又成立了中科院半导体研究所和中科院上海技术物理研究所半导体实验室等研究机构。同时，又成立了上海元件五厂和成都970厂等若干个半导体器件专业工厂。1958年我国第一枚锗晶体管试制成功，1962年我国第一代硅平面晶体管问世。1961年我国第一个集成电路研制课题组成立。在“自力更生，艰苦奋斗”精神鼓舞下，1965年，我国第一代单片集成电路在北京、石家庄和上海等地相继问世。
1968年，北京国营东光工厂和上海无线电十九厂相继成立，到20世纪70年代，全国已经建立了四十多家集成电路生产厂，上海、北京、江苏等地都建立了一些专业生产半导体器件或集成电路的企业群体。同时在全国各地也建立了一些专业生产硅材料和专用设备的企业。在封闭式的环境中自行设计、研制、生产和销售。企业规模小、技术相对落后、产品品种单纯、与整机系统联系少、缺乏市场观念是该时期我国集成电路产业的普遍特点。当时我国处于计划经济时期，企业都是按计划生产，错过了与国外集成电路产业同步发展的最佳时期。
改革开放后，我国集成电路产业获得了新生。1984年无锡华晶从日本东芝公司全面引进了3英寸/5微米的彩电芯片生产线。1988年9月，上海贝岭成为国内微电子行业第一家中外合资企业，并建成了国内第一条4英寸/3微米的数字程控交换机芯片生产线。1989年，机械电子工业部组建中国华晶电子集团公司，当时华晶有着国际先进水平的MOS集成电路和双级集成电路等生产线。这为我国集成电路产业进入国际合作时代吹响了前奏曲。从此之后，中外合资的上海飞利浦半导体公司和北京首钢NEC公司等相继成立。由于集成电路产品更新换代快，生命周期短，新一代产品对应新一代的生产设备，早期我国引进的生产线比较落后，生产的产品比国外落后2～3代。
从1965年到1990年，我国IC产业建设主要以自力更生为主，但是一直未能在IC产业化领域取得重大突破。第一次海湾战争让我们看到了在科技方面我国和西方国家的巨大差距，尤其是在武器的精确制导上，其中发挥重要作用的就是集成电路，这就使得集成电路成为我国科技和国防发展的必需项目。为打破困境，从1990年开始国家先后投巨资组建了“908”和“909”两个“中国芯”工程。
“908”工程是我国发展集成电路的第八个五年计划，主体承担企业是无锡华晶。1990年始，国家集中投资20多亿元，目标是在华晶建成一条月产1.2万片、6英寸、0.8～1.2微米的芯片生产线。1998年2月开始，华晶上华公司一改以往IDM（集成器件制造）模式，开始执行纯粹的、100%代工的Foundry（晶圆代工）模式，从此真正开始了中国大陆的Foundry时代。
1996年3月，国家对建设大规模集成电路芯片生产线的项目正式批复立项，这就是业界俗称的“909工程”。“909工程”是指发展微电子产业90年代第九个五年计划。“909工程”投资100亿元，其中在上海浦东兴建了一条8英寸、0.5微米集成电路芯片生产线，一条8英寸硅单晶生产线。另外还有8家配套设计公司，它们分别是：中国华大、上海华虹、深圳华为、成都华微、深圳国微、航天科技、南京熊猫、TCL。8个公司合计投资64450万元，其中国家资本金26200万元。
1990年和1995年我国先后实施的“908”工程和“909”工程，为我国集成电路产业建立了6英寸晶圆示范生产线、集成电路封装示范生产线和一批集成电路设计企业。其中最为突出的是1997年成立上海华虹NEC电子有限公司并于1998年建成我国第一条8英寸生产线。1999年中芯国际落户上海，2000年中芯国际的两条8英寸生产线同时建成投产。上海掀起的发展集成电路产业热潮极大鼓舞了我国发展集成电路产业的热情。
2000年6月24日，国务院发布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策》（简称18号文件），这为我国集成电路产业进入第一轮发展高潮拉开了序幕，为集成电路产业创造了良好的发展环境，自18号文发布以来，我国集成电路产业发展进入了政策引导、改善环境、吸引外资的快速发展时期，也迎来了集成电路产业发展的黄金十年。
2000年至2010年十年间，我国集成电路从59亿块提高到653亿块，提高了11倍，年均增速27.2%。销售收入从186亿元提高到1440亿元，年均增长速度22.7%。其中，集成电路设计业从9.8亿元增长到363.9亿元，年均增速43.5%；芯片制造从48亿元增长到447.1亿元，年均增速25%；封装测试业从128.4亿元增长到629.2亿元，年均增速17.2%。我国集成电路销售收入占全球比重从2000年的不足2%提高到2010年的8.6%，产量占全球比重接近10%，国际地位不断提高。十年间，我国集成电路产业所集聚的技术创新动力、市场拓展能力和资源整合活力，为实现跨越式发展奠定了坚实的基础
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在“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”和“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”等国家科技重大专项等科技项目的支持下，我国自主设计的集成电路产品种类不断丰富，由低端向中高端延伸。网络路由器芯片、3G移动通信芯片、移动互联芯片、数字电视芯片、CPU、MCU和安全芯片等一批中高端产品自主研发成功并占据一定的市场份额。40nmTD-SCDMA多模手机芯片的研制成功为TD-SCDMA标准的推广应用提供了有力支撑。移动通信、计算机网络、数字电视等领域的SoC芯片实现规模量产；以CPU和DSP为代表的高端芯片研发取得明显进展。
在集成电路制造方面，大生产工艺水平从2000年的0.5微米跨越到2010年的65nm。芯片制造能力持续增强，中芯国际12英寸45/40纳米制程工艺也在2011年进入量产阶段。高压技术、数模混合和功率器件等特色工艺模块开发成功。国内12英寸生产线达到6条，8英寸生产线达到15条。
我国集成电路和分立器件封装测试业的技术水平和产业规模不断提升，BGA、CSP、MCP等新型封装技术已经在部分生产线应用，MIS等新型封装工艺技术取得突破。产业上游的设备和材料业也形成了一定的产业规模。高密度离子蚀刻机、大角度离子注入机、45nm清洗设备等集成电路设备取得实质性突破，部分设备已在生产线上运行，逐步摆脱严重依赖进口的局面。单晶硅、光刻胶、抛光液、高纯气体、靶材等材料取得明显进展。
这一时期，我国集成电路设计、制造、封测三大产业所占比重从2001年的5.3%、25.8%、68.9%调整到2010年的25.3%、31%、43.7%，形成了三业并举、协调发展的格局（见图2-8）。其中，集成电路设计行业是十年来发展最迅速的细分行业，所占比重持续上升，反映出我国集成电路产业自主创新能力的不断提升。集成电路专用设备、仪器与材料业已形成一定的产业规模。
集成电路产业集聚效应更加明显，长江三角洲、京津环渤海和泛珠江三角洲三个集聚区继续蓬勃发展。武汉新芯12英寸生产线、成都成芯、重庆渝德8英寸生产线建成投产，英特尔成都封装测试工厂扩产，以及西安应用材料公司技术中心的建设，使成都、重庆、西安等西部重镇发展日益加快。2010年，我国集成电路销售额的区域分布，京津环渤海地区为271亿元，占总销售额的18.8%，长江三角洲为978亿元，占总销售额的67.9%，泛珠江三角洲地区的销售额为121亿元，占总销售额的8.4%，而其他地区合计70亿元，占总销售额的4.9%。
图2-8 2001—2011年我国集成电路三大产业的比重
这一期间，国内设计企业与芯片制造企业之间的合作不断加深，大唐电信入股中芯国际，比亚迪收购宁波中纬，上海华虹NEC与上海宏力半导体共同投资成立上海华力微电子，建设12英寸生产线。国内领先厂商积极探索国际并购，展讯并购射频芯片公司（Quorum），长电科技收购新加坡APS公司，浪潮集团收购奇梦达西安研发中心，企业技术实力和市场竞争力大幅提升。
2010年我国销售收入超过1亿元的集成电路设计企业有60多家，海思半导体和展讯通信已进入全球设计企业前20名；中芯国际已成为全球第四大芯片代工企业；长电科技已进入全球十大封装测试企业行列。与此同时，优势企业强强联合、跨地区兼并重组频繁，在优化产业资源配置方面成果显著，集成电路企业的竞争实力明显增强。
政策支持方面，2011年1月28日，《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》（国发［2011］4号）正式颁布。从财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权及市场七大方面提出31条具体政策措施，进一步完善了各项政策，加大了扶持力度，标志着集成电路产业发展环境的进一步成熟和完善。
海关总署公告2011年第30号、《退还集成电路企业采购设备增值税期末留抵税额的通知》、《财政部、国家税务总局关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》（财税［2012］27号）、《关于印发国家规划布局内重点软件企业和集成电路设计企业认定管理试行办法的通知》（发改高技［2012］2413号）、《关于印发〈集成电路设计企业认定管理办法〉的通知》（工信部联电子［2013］487号）已陆续发布。扩大集成电路设计企业产业链全程保税的试点范围相关工作正进一步推进。未来，针对集成电路制造企业的相关优惠细则也将陆续出台，从而进一步优化产业发展环境，减轻企业负担。
2013年12月，工信部、发改委与北京市政府共同成立北京市集成电路产业发展股权投资基金，基金总规模300亿元，主要投资项目包括产业链重点项目、研究中心、资本并购重组等方面。在产业投向结构上，基金在集成电路产业方面的投资规模占比不低于60%，相关上下游产业投资规模占比不高于40%。
2014年6月24日，国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》，其中指出，到2015 年，集成电路产业发展体制机制创新取得明显成效，建立与产业发展规律相适应的融资平台和政策环境，集成电路产业销售收入超过3500亿元。移动智能终端、网络通信等部分重点领域集成电路设计技术接近国际一流水平。32/28 nm 制造工艺实现规模量产，中高端封装测试销售收入占封装测试业总收入比例达到30%以上，65nm～45nm关键设备和12英寸硅片等关键材料在生产线上得到应用。
2011年至今，伴随着我国多层资本市场的发展和完善，集成电路产业发展热情不断激发，产业链整合、并购重组进程不断加快，我国集成电路产业进入跨越式发展阶段。2013年9月，澜起科技在纳斯达克上市，成为“十二五”中期我国首个海外上市成功的芯片设计企业。纳斯达克上市企业展讯通信和锐迪科被清华紫光分别以17.8亿美元和9亿美元收购并退市，为重返国内资本市场做好准备。中芯国际发布2亿美元可转债，为企业进一步扩大生产筹集资本。企业兼并重组较为活跃，同方国芯以定向增发方式实现对深圳国微电子的合并，锐迪科收购了互芯公司的基带芯片业务以及CoolsandHolding和其子公司的所有基频知识产权，澜起科技收购了摩托罗拉杭州芯片设计部，上海华虹NEC与宏力半导体完成合并。
2014年11月，中芯国际与长电科技联合宣布，双方正式签署合同，建立具有12英寸凸块加工（Bumping）及配套测试能力的合资公司。同时，长电科技将就近建立配套的后段封装生产线，共同打造集成电路（IC）制造的本土产业链，为针对中国市场的国内外芯片设计客户提供优质、高效与便利的一条龙生产服务。二者的结合形成了国内首条完整的12英寸本土半导体制造产业链。
2015年1月，根据长电科技公告，长电科技联合国家集成电路产业投资基金股份有限公司（下称产业基金）、芯电半导体（上海）有限公司（下称芯电半导体）斥资7.8亿美元（约合人民币48.34亿元），收购设立在新加坡并在新加坡证券交易所上市的星科金朋。此次收购事件是中国半导体企业第一次实现如此大的跨国并购。长电科技此次向星科金朋提出收购要约无疑是一次强强联手，全球第四大和第六大IC封测厂商的联合将使得长电有望进入封测行业第一阵营，营收规模达到24.5亿美元（2013年报口径），将超越目前全球第三大矽品（SPIL）的规模。