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大多数设备对磁场干扰都不敏感，但是对于某些设备，如电子显微镜、生物脑电波扫描仪、核磁共振成像系统、质谱仪等一些电子系统则可能是致命的，磁场会对这些利用磁场工作的设备产生影响，如 CRT 中的电子束在外界磁场干扰下，电子束的偏转会发生变化，造成图像失真，当外界磁场的变化频率与场扫描频率相同时，图像仅仅发生扭曲变形，当外界磁场的频率与场扫描频率不同时，图像会发生滚动。
只要有电流变化的地方，都会有磁场的变化。在我们的生活空间中，经常会发生磁场干扰现象。例如，电气化铁路附近、高层建筑中的电梯、车间里的电焊设备、电镀槽、电弧炉和感应加热炉等，在它们工作时都伴随有大的电流变化，从而产生磁场的变化。由于这些干扰的频率很低（通常是50Hz与60Hz的工频交流电，有些甚至是直流电），这些问题处理起来是非常棘手的。
对于甚低频或直流磁场的屏蔽，可使用铁磁性材料将敏感器件包起来。利用铁磁性材料的低磁阻和高磁导率特性，可以对外界磁场起到磁通分路作用，使敏感器件周围的磁力线集中在屏蔽材料中，从而使屏蔽体内的磁场大大减弱，对敏感器件起到了磁屏蔽作用。
图4-4所示为磁场屏蔽的原理。
图4-4 磁场屏蔽的原理
屏蔽体的材料和形状是非常关键的，因为这些直接影响磁场屏蔽效果，设计时可以参考以下几点。
（1）选用高磁导率的材料，如坡莫合金等，这些材料与铁相比，具有高磁导率和低磁通密度。但有时磁导率很高的材料在强磁场中会失去屏蔽性能。这是因为这些材料在强磁场中发生了磁饱和现象，材料的磁导率越高，越容易饱和。所以设计中要选择一种材料，既能提供足够的屏蔽能力，又不至于发生饱和，具体处理措施参见下面第6点的内容。
（2）除了选用合适的磁材外，还可以增加屏蔽体的截面积（壁厚）、尽量缩短磁路的长度以增加磁场屏蔽的效能。
上面两点的目的都是减小屏蔽体磁阻。
（3）被屏蔽的物体不要放在紧贴屏蔽体上，这样可以尽量减少通过被屏蔽物体内的磁通。
（4）注意磁屏蔽体的结构设计，接缝、通风孔都能增加屏蔽体的磁阻，降低屏蔽效果。因此，为了有利于减小屏蔽体在磁场方向的磁阻，应使缝隙或长条通风孔循着磁场方向分布。
（5）理论上，完全的封闭体的磁屏蔽效果最为理想，但在实践中，一些不封闭的结构，如五面体或更少的结构，甚至是平板磁材也能提供满足要求的屏蔽效果。注意，当使用平板时，应使平板体的长度和宽度大于干扰源到敏感器件之间的距离。
（6）对于强磁场的屏蔽，为了在非常强的磁场中保护坡莫合金，防止发生磁路饱和，还要保证有较高的衰减量，需要采取多层屏蔽或添加高磁导率、高饱和点的铁合金。以一个双层屏蔽体为例，如果外部为强磁场，外层屏蔽体就要选用磁导率相对较低、不易饱和的材料（如硅钢），先将磁场衰减到一定程度，然后再用磁导率很高的材料做进一步衰减；如果内磁场为强磁场，则磁材次序就要颠倒过来。总之，靠近干扰源的部分要用低磁导率的材料。
（7）在安装内、外两层屏蔽体时，磁路上要互相绝缘。当没有接地要求时，可用绝缘材料作为支撑件。一般来讲，屏蔽体要兼有防止电场感应的作用，因此通常是要求接地的。此时，可用非铁磁材料（如铜、铝等）作为支撑件。