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1.16 贾凡尼效应、电迁移、爬行腐蚀与硫化的概念

贾凡尼效应

在讨论工艺可靠性或进行失效分析时,经常遇到贾凡尼效应、电迁移和爬行腐蚀等有关概念。了解这些概念,对于进行失效分析、可靠性设计非常重要。

1.贾凡尼效应

贾凡尼效应又称原电池效应、电偶腐蚀,即相连的、活性不同的两个金属与电解质溶液接触发生原电池反应,比较活泼的金属原子失去电子而被氧化(腐蚀)。本质就是活泼的金属被氧化。

发生贾凡尼效应的条件如下:

(1)两个活性不同的电极(两个活性不同的金属或金属与惰性电极)。

(2)电解质溶液(或潮湿的环境与腐蚀性气氛)。

(3)形成闭合回路(或正负极在电解质溶液中接触)。

一般活性比较强的金属为负极,被溶解。金属的活性顺序如图1-82所示。

图1-82 金属活性顺序

在PCB的表面处理中,常见的贾凡尼现象有:

(1)Im-Ag过程中,阻焊膜边缘下Cu的被蚀现象,如图1-83所示。在沉银过程中,因为阻焊膜与Cu裂缝的缝隙非常小,限制了沉银液对此处的银离子供应,但是此处的铜可以被腐蚀为铜离子,然后在裂缝外的铜表面上发生沉银反应。因为离子转换是沉银反应的原动力,所以裂缝下铜面受攻击程度与沉银厚度直接相关。

图1-83 贾凡尼效应

(2)选择性OSP/ENIG表面处理过程中,OSP盘的被蚀现象。在进行选择性OSP/ENIG表面处理时,首先进行ENIG处理再做OSP。由于在进行OSP处理时也要进行微蚀,如果ENIG盘与Cu盘(最终作为OSP盘)之间有连接,那么准备进行OSP处理的Cu盘与ENIG盘形成了原电池效应。如果Cu盘面积远小于ENIG盘(Cu盘面积小于ENIG盘面积的1/100),则Cu盘很可能被腐蚀掉。因此,在进行无铅背板表面处理设计时,应尽可能避免ENIG与OSP区域处于同一网络(即两者导通)。

电迁移

2.电迁移

电迁移通常是指在电场的作用下金属或离子迁移的现象,它会造成电路间绝缘电阻下降甚至短路,属于电化学腐蚀的产物。根据发生的条件,电迁移分为金属迁移和金属离子迁移。

发生电迁移的条件如下:

(1)环境湿度大,一般相对湿度超过80%,在绝缘介质表面会吸附几个分子厚度的水膜。玻璃、陶瓷最容易吸附水分子。

(2)导体间存在直流电压差。

(3)能够形成可逆反应。

常见的电迁移现象如下。

1)Ag迁移(枝晶)

厚膜电路最常见的失效模式是Ag迁移,其形成机理如下:

(1)H 2 O→H + +OH - ,形成H + 和OH -

(2)Ag在电场及OH - 的作用下电解为Ag + ,并产生下列可逆化学反应:

(3)在电场作用下,Ag + 从高电位移向低电位并形成絮状或树枝状扩展,在高低电位相连的边界上形成黑色Ag 2 O,如图1-84所示。

图1-84 Ag迁移现象

2)CAF

CAF,即Conductive Anodic Filament的缩写,中文译为导电阳极丝,一般指PCB中沿玻纤形成的金属丝现象。它会导致导体间绝缘电阻发生突然的难以预料的下降,详细内容见8.21节。

爬行腐蚀

1.爬行腐蚀

爬行腐蚀是指腐蚀产物(主要为Cu 2 S,还有少量的Ag 2 S)在不需要电场的环境下,从电路板裸露铜表面开始腐蚀并不断向四周扩展的腐蚀现象,如图1-85所示。主要原因来自日常生活环境中的硫化物等外来因素。

由于腐蚀产物会在阻焊层表面上爬行,导致相邻焊盘和线路间的短路,一旦发生爬行腐蚀现象,将导致电子产品提前失效,影响产品的寿命与可靠度。

图1-85 爬行腐蚀现象

2.发生场景

爬行腐蚀产生于PCB或元器件裂缝内裸铜面上,常见的发生地方为Im-Ag阻焊下贾凡尼沟槽及塑封器件的引脚根部,如图1-86所示。

图1-86 爬行腐蚀常见的发生地方

3.爬行机理

马里兰大学的Ping Zhao等学者认为,爬行腐蚀过程中首先发生的是电化学反应,同时伴随着体积膨胀以及腐蚀产物的溶解/扩散/沉淀。即首先是铜基材被氧化失去一个电子(可能伴有贵金属如金等的电偶加速作用),生成一价铜离子并溶解在水中。由于腐蚀点附近离子浓度高,在浓度梯度的驱动下,一价铜离子会自发地向周围低浓度区域扩散。当环境中相对湿度降低、水膜变薄或消失时,部分一价铜离子会与水溶液中的硫离子等结合,生成相应的盐并沉积在材料表面。

爬行腐蚀的产物以硫化亚铜为主,还有少量硫化银,这是一种P型半导体,不会造成短路的立即发生;但随着其厚度的增加,其电阻减小。

4.爬行腐蚀与电迁移、CAF的对比

与电迁移(包括枝晶、CAF)类似,爬行腐蚀也是一个传质的过程,但三者发生的场景、生成的产物以及导致的失效模式并不完全相同,具体对比见表1-6。

表1-6 爬行腐蚀、枝晶和CAF的特点对比

爬行腐蚀属于硫化腐蚀的一种,之所以将其单独命名,是因为它具有显著的特性——腐蚀产物向四周扩散。与电阻、排阻、电容的硫化现象与失效现象不一样,这些硫化物为Ag 2 S,腐蚀产物呈莲花状黑色结晶物,不溶于水也不导电。

5.硫化物的危害

硫化物具有半导体性质,且不会造成短路的立即发生,但是随着硫化物浓度的增加,其电阻会逐渐减小并造成短路失效。

此外,该腐蚀产物的电阻值会随着温度的变化而急剧变化,可以从10MΩ下降到1MΩ。

6.防护措施

(1)采用三防涂敷无疑是防止PCBA腐蚀的最有效措施。

(2)设计和工艺上减小PCB、元器件露铜的概率。

(3)组装过程尽力减少热冲击及污染离子残留。

(4)整机设计加强温、湿度的控制。

(5)机房选址避开明显的硫污染源。

7.关于爬行腐蚀的研究

大气中的哪些硫化气氛(如二氧化硫、单质硫、有机硫化物等)会导致爬行腐蚀;腐蚀的发生是否存在湿度门槛值;产生爬行的机理和驱动力是什么;物质表面特性,比如不同表面处理/油、连接器塑封材料等对爬行腐蚀有什么影响;等等,目前均尚无公认的结论。

关于爬行腐蚀的详细内容见14.4节。 4mPRPNIj12w1caCcUnFJPXFin37hjsEtHdHN4prS+vwFNqj/Njzzq5NwytraRYKN

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