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2.0.1 发光二极管 light emitting diode（LED）
一种能够将电能转化为可见光的固态半导体器件。
2.0.2 外延 epitaxy
在单晶衬底（基片）上生长一层或多层有一定要求的、与衬底晶向相同或相似的单晶层的生长技术。
2.0.3 二次配管配线 hook-up
生产厂房中一次管线系统至生产设备接口之间的连接管线。
2.0.4 金属有机物化学气相沉积 metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD）
以Ⅲ族、Ⅱ族元素的金属有机化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其多元薄层单晶材料的工艺过程。
2.0.5 气垫法 air cushion process
利用气垫单元托起重物并利用气垫单元与地面之间的流动空气层来降低摩擦阻力以便搬运的方法。
2.0.6 主控项目 main control items
本标准指对安全、节能、环境保护、主要使用功能等起决定性作用的检验项目。
2.0.7 一般项目 general control items
本标准指主控项目之外的其他项目。