第一节
IGBT定义

绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种双极型晶体管（Bipolar Transistor，BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）复合的新型功率器件。IGBT集BJT器件通态压降小、载流密度大、耐压高和MOSFET器件驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身。三种器件性能比较见表1。

起初，不同公司对“IGBT”这种器件的称谓不尽相同，如GE公司称之为IGR、RCA公司称之为COMFET、Motorola公司称之为FEMFET、Siemens公司称之为IGBT。由于Siemens公司的IGBT发展迅猛，其生产的IGBT器件性能优良，在国际市场上占有很高的市场份额，所以后来人们认同并接受了Siemens公司的“IGBT”这一称谓。

1982年，GE公司和RCA公司首先宣布，IGBT是三十多年来发展最快的功率半导体器件之一。不同功率半导体器件应用领域有所不同，在中大功率领域（电压1200～6500V），IGBT是市场上的主流产品，其电压范围为600～6500V，电流范围为1～3600A（140mm×190mm模块）；而在超大功率领域（电压3300V以上、容量1～45MW），晶闸管和集成门极换流晶闸管（IGCT）等均具有巨大的市场；在中小功率领域（电压900V以下），功率MOSFET器件是应用最广泛的电力电子器件，也是目前市场容量最大、需求增长最快的器件。功率半导体器件分类如图1所示。