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半导体三极管也称为晶体管或晶体三极管，是电流放大器件，可以把微弱的电信号放大到一定强度，在电子电路中被广泛使用，是电子电路的核心器件。
三极管的三个引脚分别是发射极、基极和集电极。三极管由两个PN结构成，其中一个称为发射结，另一个称为集电结。在进行信号放大时，使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，就可以实现对输入的小电流信号进行放大。
三极管按PN结的组合方式不同，可分为NPN型和PNP型两种。常用的图形符号如图1.11所示。
图1.11 三极管图形符号
三极管有多种分类方法：
1.按半导体材料分类，可分为硅材料三极管和锗材料三极管。
2.按三极管的极性分类，可分为锗NPN型三极管、锗PNP型三极管、硅NPN型三极管和硅PNP型三极管。
3.按结构和制造工艺分类，可分为扩散型三极管、合金型三极管和平面型三极管。
4.按电流容量分类，可分为小功率三极管、中功率三极管和大功率三极管。
5.按工作频率分类，可分为低频三极管、高频三极管和超高频三极管等。
6.按封装结构分类，可分为金属封装（简称金封）三极管、塑料封装（简称塑封）三极管、玻璃壳封装（简称玻封）三极管、表面封装（片状）三极管和陶瓷封装三极管等。
7.按功能和用途分类，可分为低噪声放大三极管、中高频放大三极管、低频放大三极管、开关三极管、达林顿三极管、高反压三极管、带阻尼三极管、微波三极管、光敏三极管和磁敏三极管等。
三极管参数很多，大致分为三类，即直流参数、交流参数和极限参数。
(1)共发射极电流放大倍数
：指集电极电流
I
C
与基极电流
I
B
之比，即
(2)集电极—发射极反向饱和电流 I CEO :指基极开路时，集电极与发射极之间加上规定的反向电压时的集电极电流，又称穿透电流。它是衡量三极管热稳定性的一个重要参数，其值越小，则三极管的热稳定性越好。
(3)集电极—基极反向饱和电流 I CBO :指发射极开路时，集电极与基极之间加上规定的反向电压时的集电极电流。质量好的三极管的 I CBO 应很小。
(1)共发射极交流电流放大系数β：指在共发射极电路中，集电极电流变化量与基极电流变化量之比，即
(2)共发射极截止频率 f β ：指电流放大系数因频率增加而下降至低频放大系数的 0.707倍时的频率，即输出信号值下降了3 dB时的频率。
(3)特征频率 f T :指 β 值因频率升高而下降至1时的频率。
(1)集电极最大允许电流 I CM ：指三极管参数变化不超过规定值时，集电极允许通过的最大电流。当三极管的实际工作电流大于 I CM 时，其性能将显著变差。
(2)集电极—发射极反向击穿电压 BV (BR)CEO :指集电极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。
(3)集电极最大允许功率损耗 P CM :指集电极允许功耗的最大值，其大小取决于集电结的最高结温。
国产三极管型号由五部分组成，各部分含义见表1.4。第一部分用数字“3”表示三极管；第二部分用字母表示三极管的材料和极性；第三部分用字母表示三极管的类别；第四部分用数字表示同一产品的序号；第五部分用字母表示规格号。
表1.4 三极管型号及含义
用数字万用表可以区分三极管的管脚和测量共发射极电流放大系数
。
将数字万用表档位开关放在二极管测量档，将红表笔接触其中一个引脚，黑表笔分别接触另外两个引脚，若两次测量中得到的值都较小，则说明与红表笔接触的引脚是基极，且该三极管是NPN型的；如果两次测量中一次测量得到的值较小，另一次测量得到的值为“1”，则说明与红表笔接触的引脚不是基极，应改变与红表笔接触的引脚重新进行测量。
如果在上述测量过程中没有找到基极，则要交换红表笔和黑表笔，重复上述测量过程，若两次测量中得到的值均较小，则说明与黑表笔接触的引脚是基极。
的测量
将数字万用表档位开关放在“HFE”测量档，根据上面已判断出的三极管基极和三极管类型，选择合适的“HFE”档测量插孔，并将两个未知引脚分别交换插孔位置测量，在得到的两个测量值中，为非“1”时是三极管的共发射极电流放大倍数
的值，两个未知引脚在此测量值下引脚旁的符号即为相应引脚的管脚符号。