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纳米晶体管改造电脑

撰文:达维德·卡斯泰尔韦基(Davide Castelvecchi)

翻译:王栋

INTRODUCTION

晶体管是计算机芯片上的关键器件,晶体管的设计极大地影响着计算机的速度。最近,一种只有10纳米厚的晶体管有望实现规模化生产,这意味着晶体管能在较低的电压下工作,产生的热量更少,计算机的速度也将更快。

今天的每块计算机芯片上,都密密麻麻地排列着数十亿个晶体管,但自从1947年美国科学家约翰·巴丁(John Bardeen)、沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)和威廉·肖克莱(William Shockley)在贝尔实验室制作出第一个晶体管原型以来,晶体管的生产一直都基于相同的原理。目前,物理学家展示了一种彻底简化的晶体管设计,能使计算机运行速度更快、耗电量更低。虽然奥地利物理学家朱利叶斯·艾德加·李林菲尔德(Julius Edgar Lilienfeld)早在1925年就为这种设计申请了专利,但迄今为止仍未转化成实用器件。

每个晶体管都有一个门电极,它决定着电流能否通过半导体片,从而界定一个“开”或“关”的状态,这是计算机二进制运算的关键。传统的设计是,半导体片被加工成类似三明治的结构,即一种材料夹在另一种材料的中间。在“关”的状态下,这个“三明治”是绝缘体,但它可以转化为电导体,通常的方法是在门电极上施加一个电场。在芯片制造过程中,“三明治”结构是通过向硅片中“掺杂”其他元素形成的。例如,中间一层可以加入易于获得电子的元素;外面的两层则加入易于释放电子的元素。单独来看,每一层材料都是导电的,但除非门电极处于“开”的状态,否则电子无法穿过中间一层。

相邻材料层之间的边界叫作“结”。爱尔兰丁铎尔国家研究院的琼-皮埃尔·科林奇(Jean-Pierre Colinge)说,随着晶体管尺寸的缩小,如何在几纳米的距离内,使硅片中掺杂元素的密度发生突然变化,以形成一个明显的边界,已成为科学家面临的一大难题。

一种解决办法就是干脆去除边界。根据李林菲尔德的设想,科林奇及其同事制作了一种晶体管,其中只有一种掺杂元素,这样边界就不存在了。这种新型器件是一个1微米长的纳米管,其中掺杂了大量的硅,门电极横穿中部。门电极产生的电场会耗尽纳米管中间区域的电子,关闭晶体管,进而阻止电流通过纳米管。2010年3月,这个研究小组在《自然-纳米技术》杂志上发表了他们的研究成果。

要有效耗尽电子,纳米管只能有10纳米厚。直到最近,这种纳米管才有可能实现规模化生产科林奇说,“这个器件应该很容易整合在硅芯片上”,因为它与现有制造工艺是兼容的。他认为,无边界设计可以更有效地开关电流,这就意味着晶体管能在较低的电压下工作,产生的无用热量更少,速度也将更快(实际上,在经过了数十年的快速发展之后,过去数年,计算机的运算频率一直停顿在3GHz左右)。

位于美国纽约州约克敦海茨的IBM沃森研究中心物理科学部主任托马斯·西斯(Thomas Theis)认为,如果发明者能将无结晶体管的长度显著缩短,更好地与现有部件相匹配,那么这种晶体管的应用前景将不可限量。科林奇说,把晶体管的尺寸缩短到10纳米应该是可行的,他的团队正在努力实现这一目标。科林奇还透露,自从他们的文章发表以后,多家半导体公司都对无结晶体管很感兴趣,或许它们已经做好准备进入“无边界时代”了。 hKbiaMRtZiVhYk+T88HB8+Yp/Cu0AjEjk+Mq0iWEJe5+DTkWRNQKahp/Yw20t7HA

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