半导体干法刻蚀技术:原子层工艺
半导体干法刻蚀技术:原子层工艺
机械工业 | 索斯藤·莱尔
16.3万字
工业

内容简介:集成电路制造向几纳米节点工艺的发展,需要具有原子级保真度的刻蚀技术,原子层刻蚀(ALE)技术应运而生。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》主要内容有:热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等,探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术,涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和进展。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例,例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀,有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。 《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》概念清晰,资料丰富,内容新颖,可作为微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的研究生和高年级本科生的教学参考书,也可供相关领域的工程技术人员参考。

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