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1-50章
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共60章
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版权信息
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内容简介
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前言
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第1章 绪论
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1.1 Free Standing的二维材料
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1.2 二维硫属化合物材料的制备及应用
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1.3 二维过渡金属硫属化合物性质的实验研究
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1.4 二维过渡金属硫属化合的第一性原理计算
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1.5 寻找新的二维材料
参考文献
第2章 理论方法和计算软件
2.1 密度泛函理论
2.2 计算软件简介
参考文献
第3章 应力对二维过渡金属硫属化合物纳米膜电子结构的影响
3.1 引言
3.2 平面双轴应力对多层MX2的影响
3.3 垂直压应力对多层MX2的影响
3.4 本章小结
参考文献
第4章 过渡金属硫属化合物异质结的电子性质及调控
4.1 引言
4.2 计算模型和方法
4.3 平衡状态下异质结的电子结构
4.4 面内双轴应力对异质结电子结构的调控
4.5 法向压应力对异质结电子结构的调控
4.6 本章小结
参考文献
第5章 过渡金属硫属化合物纳米膜超晶格量子阱特性研究
5.1 引言
5.2 计算模型和方法
5.3 超晶格的最优结构及稳定性
5.4 量子阱的形成及其电子结构特征
5.5 应力对量子阱的影响
5.6 2MoS2/2WSe2量子阱特性
5.7 本章小结
参考文献
第6章 MoS2基面内超晶格的电子性质及调控
6.1 引言
6.2 计算模型和方法
6.3 面内超晶格的结构稳定性
6.4 面内超晶格的电子性质
6.5 面内双轴应力对超晶格电子性质的调控
6.6 本章小结
参考文献
第7章 SiO2衬底对单层MoS2电子性质的影响
7.1 引言
7.2 计算模型和方法
7.3 MoS2/SiO2结构的稳定性
7.4 MoS2/SiO2的电子结构
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