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共65章
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版权信息
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第2版前言
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第1章 半导体器件理论基础
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1.1 半导体的电学特性
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1.2 PN结的结构与特性
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1.3 MOS场效应晶体管
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1.4 双极型晶体管
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本章小结
第2章 集成电路制造工艺
2.1 硅片制备
2.2 外延工艺
2.3 氧化工艺
2.4 掺杂工艺
2.5 薄膜制备工艺
2.6 光刻技术
2.7 刻蚀工艺
2.8 CMOS集成电路基本工艺流程
本章小结
第3章 操作系统与Cadence软件
3.1 UNIX操作系统
3.2 Linux操作系统
3.3 虚拟机
3.4 Cadence软件
本章小结
第4章 电阻
4.1 概述
4.2 电阻率和方块电阻
4.3 电阻的分类与版图
4.4 电阻设计依据
4.5 电阻匹配规则
本章小结
第5章 电容和电感
5.1 电容
5.2 电感
本章小结
第6章 二极管与外围器件
6.1 二极管
6.2 外围器件
本章小结
第7章 双极型晶体管
7.1 概述
7.2 发射极电流集边效应
7.3 双极型晶体管的分类与版图
7.4 双极型晶体管版图匹配规则
本章小结
第8章 MOS场效应晶体管
8.1 概述
8.2 MOS管的版图
8.3 MOS管版图设计技巧
8.4 棍棒图
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